9月8日至12日，第21届国际离子源大会（ICIS’25）在英国牛津大学举行。会议期间，举行了2025度国际离子源“明亮奖”（Brightness Award）颁奖仪式。中国科学院近代物理研究所孙良亭研究员与来自美国密西根州立大学FRIB实验室的郭俊伟博士（原近代物理所高级工程师）分享了该届奖项（第十一届Brightness Award，网站链接），以表彰他们近期在超导高电荷态ECR离子源的研发与性能提升方面取得的突破。这也是该奖项设立以来，第二次颁发给从事ECR离子源研究的学者。

图1: 评奖委员会主席、大会主席及奖项赞助单位代表与孙良亭研究员、郭俊伟博士合影

国际离子源大会ICIS（International Conference on Ion Sources）是全球离子源领域的综合学术会议，每两年一届，主要在亚洲、美洲及欧洲轮值召开，每次大会有来自全世界约200~300名的学者与仪器展商参加，会议交流和研讨全球离子源科学、技术及其应用方向最新的研究成果、进展及学科未来发展。面向全球离子源科学与技术领域的学者，自2003年起，每届会议设立“明亮奖”以表彰并鼓励在离子源物理和技术方面取得重大创新性成果的学者。自2003年至2013年，该奖项由国际著名的束诊仪器公司Bergoz Instrumentation资助，自2015年起，从事加速器装置开发的兰州科近泰基公司拿下了赞助权。通过国际评奖委员会的两轮评选，孙良亭研究员和郭俊伟博士获得了本年度的“明亮奖”。

图2: 获奖证书

高电荷态ECR（电子回旋共振）离子源是重离子加速器的关键核心技术之一，超导ECR离子源是强流高电荷态重离子束产生的前沿技术，是国际上各大重离子科学研究实验室竞争的焦点之一。孙良亭研究员与郭俊伟博士带领团队在以SECRAL-I、SECRAL-II为代表的第三代高电荷态ECR离子源上开展了一系列原创性的物理与技术研究，解决了该领域多个难点问题，取得了多项突破，创造并保持了离子源产生的高电荷态离子束流强度的世界纪录，为国际同行所跟踪研究与推广应用。最新研制成功的45 GHz FECR超导离子源是国际首台第四代ECR离子源装置，在铌三锡（Nb₃Sn）高场超导磁体技术应用于ECR离子源发展方面进行了一系列原创性探索，获得国际同行的高度认可。该团队研发的系列高性能超导高电荷态ECR离子源使我国十多年来在高电荷态离子源领域持续保持国际领先，并为我国重离子加速器装置长期运行供束，显著提升了重离子加速器装置的性能，为近年来我国一系列重离子物理及其应用重要成果的取得创造了先进的实验条件。

近20年来，赵红卫研究员和孙良亭研究员所领导的近代物理所离子源团队在强流高电荷态重离子束产生方面取得了一系列突破与重要进展，研制的多台强流高电荷态ECR离子源性能指标持续处于世界领先水平，受到国际同行的高度认可。该团队在强流高电荷态离子源方面取得的成果曾两次获得国际离子源领域“明亮奖”（2009年度赵红卫和2025年度孙良亭与郭俊伟），两次获得国际ECR离子源方向的“盖勒奖”（Geller Prize，2008年度孙良亭和2024年度郭俊伟），一次获得国际粒子加速器奖“西川哲志奖”（Nishikawa Tetsuji Prize，2025年度孙良亭），是国际上多次获得上述奖项的唯一团队。